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Fotodetectores(Antonio), PIN basados en Ensachamiento de la zona de transición, Disparo debido a La fotogeneración es cuántica, Reflectividad a la entrada(γ) para reducirla se emplean Capas antirreflexivas, Ensachamiento de la zona de transición introduciendo Material íntrinseco en la interfase P-N, longitud de corte (λc) determinada por El ancho de la banda prohibida (Eg), Ruido de Fondo, Corriente eléctrica (Io) que está directamente relacionada con la Potencia óptica incidente (Po), APD basados en el Efecto de avalancha, Un fotodetector puede ser tipo APD, ps para Substratos ternarios a base de AsInGa