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Este Cmap, tiene información relacionada con: Fotodetectores, Mayor ensanchamiento de la zona de transición conseguido mediante Introducción material intrínseco, Lo más amplia posible para mejorar Eficiencia, Mayor ancho de banda que en Detectores fotoconductivos, De disparo al producirse Sus efectos se suman en potencia, Se amplía M veces la responsividad lo que produce Ganancia, Mayor campo eléctrico con ello se consigue Menor % de fotodetecciones en zonas neutras, Ruido conforma Señal no deseada en el proceso de fotodetección, Diodos fotodetectores PIN basados en Mayor ensanchamiento de la zona de transición, Menor concentración de minoritarios y por tanto Menor corriente de polarización, Se ensancha la zona de transición así se consigue Mayor responsividad, Longitud de onda deben tener El valor más alto posible, Control de la avalancha requiere Fuentes de alimentación elevadas, Se ensancha la zona de transición que debe ser Lo más amplia posible, Lo más amplia posible para mejorar Rango espectral, Ruido se puede clasificar en De fondo, Mayor sensibilidad que en Detectores fotoconductivos, Disminuye la corriente de polarización así se consigue Mayor sensibilidad, Los fotodetectores se clasifican en Diodos fotodetectores semiconductores, Disminuye la corriente de polarización así se consigue Mayor responsividad, Control de la avalancha proporciona Alto ancho de banda