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Este Cmap, tiene información relacionada con: Los Fotodetectores, MATERIAL que puede ser Si y GaAs, < λ corte para superar BAND GAP, APD tiene un ALTO CONSUMO, ZONA DE TRANSICIÓN como consecuencia de introducir MATERIAL INTR�NSECO, UN FOTODETECTOR es un DIODO, ENSANCHAMIENTO de la ZONA DE TRANSICIÓN, RUIDO puede ser de OSCURIDAD, UN FOTODETECTOR queda caracterizado por su RUIDO, RESPONSIVIDAD depende de FABRICACIÓN, SEÑAL FOTÓNICA en SEÑAL ELÉCTRICA, λ que debe ser < λ corte, 1ª VENTANA para Si y GaAs, 2ª Y 3ª VENTANA para Ge y TERNARIOS, REFLECTIVIDAD de las CAPAS ANTIREFLEXIVAS, UN FOTODETECTOR queda caracterizado por su SENSIBILIDAD, UN FOTODETECTOR queda caracterizado por su ANCHO DE BANDA, UN FOTODETECTOR queda caracterizado por su EFICIENCIA, CAPAS ANTIREFLEXIVAS del MATERIAL, DIODO SEMICONDUCTOR antecesor del PIN, UN FOTODETECTOR puede ser de tipo APD